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三极管【大量现货供应】AMP2301-2308一系列MOS管产品特价

品牌/商标:APM/茂达 型号/规格:AMP2301-2308 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:UNI/一般用途 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:GE-N-FET锗N沟道

供应全新原装场效管IRFR5305 IRF5305 封装齐全

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFR5305 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:A/宽频带放大 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:N-FET硅N沟道

三极管IRFP460PBF全新原装现货特价出售

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRFP460PBF 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:MAP/匹配对管 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:HEMT高电子迁移率

三极管全新原装现货特价出售仙童FQPF7N60C FQP7N60C

品牌/商标:FAIRCHILD/仙童 型号/规格:FQP7N60C FQPF7N60C 种类:结型(JFET) 沟道类型:P沟道 导电方式:耗尽型 用途:CC/恒流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:P-FET硅P沟道 最大漏极电流:1 跨导:1 开启电压:600 夹断电压:300 低频噪声系数:1 极间电容:1 最大耗散功率:1

供应全新现货MOS管 30V 2.7A SI2307 APM2307

品牌/商标:APM/茂达 型号/规格:2307 种类:结型(JFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:CC/恒流 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:GE-N-FET锗N沟道

三极管低价供应台湾UTC产品MOS管2N60 TO-251 TO-252

品牌/商标:台湾友顺UTC 型号/规格:2N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:L/功率放大 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1(V) 夹断电压:1(V) 跨导:1(μS) 极间电容:1(pF) 低频噪声系数:1(dB) 最大漏极电流:1(mA)

三极管IRF730 IRF640 IRF540N IRFZ44 IRFZ24现货特价出售

品牌/商标:IR/国际整流器 型号/规格:IRF730A 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:CC/恒流 封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:500(V) 夹断电压:800(V) 跨导:30(μS) 极间电容:20(pF) 低频噪声系数:5(dB) 最大漏极电流:50(mA) 最大耗散功率:800(mW)

供应全新原装现货MOS管500V 7.2A STP9NK50Z TO-220

工作温度范围:25(℃) 功耗:110W 批号:13年 是否进口:是 针脚数:3 正向平均电流,IF:110W 反向浪涌电压,Vrrm:110W 型号/规格:STP9NK50Z 产品类型:整流堆 品牌/商标:ST/意法 封装:TO-220 TO-200F 263 沟道类型:其他

供应全新原装现货MOS管2SK3797 2SK3797

封装外形:CER-DIP/陶瓷直插 型号/规格:2SK3797 材料:GE-N-FET锗N沟道 用途:CC/恒流 品牌/商标:TOSHIBA/东芝 沟道类型:频道 种类:结型(JFET) 导电方式:增强型

三极管特价现货供应美国AOS MOS管AO3400 AO3401 AO3402 AO3410

品牌/商标:美国AOS 型号/规格:AO3400 AO3401 AO3402 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:CC/恒流 封装外形:SMD(SO)/表面封装 材料:GE-N-FET锗N沟道 开启电压:3(V) 夹断电压:1(V) 跨导:1(μS) 极间电容:1(pF) 低频噪声系数:1(dB) 最大漏极电流:1(mA) 最大耗散功率:1(mW)

供应MOS管台湾UTC系列MOS管2N60 TO-252 TO-251

品牌/商标:UTC/友顺 型号/规格:2N60 种类:绝缘栅(MOSFET) 沟道类型:N沟道 导电方式:增强型 用途:CC/恒流 封装外形:P-DIT/塑料双列直插 材料:N-FET硅N沟道 开启电压:1(V) 夹断电压:1(V) 跨导:1(μS) 极间电容:1(pF) 低频噪声系数:1(dB) 最大漏极电流:1(mA)